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基礎(chǔ)信息Product information
產(chǎn)品名稱:

TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀

產(chǎn)品型號(hào):

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

所在地:上海市

更新時(shí)間:2024-08-05

產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀廣泛適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電抗器、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測(cè)量。

產(chǎn)品特性Product characteristics

 

  TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀

TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀是我公司吸收國(guó)內(nèi)外同類儀器的優(yōu)點(diǎn),精心設(shè)計(jì)研制而成的一款能全自動(dòng)測(cè)試介質(zhì)損耗(tgδ)和電容量(Cx)的智能化儀器。TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀*采用第四代抗干擾技術(shù)-全自動(dòng)反干擾源法,能夠在500KV及以下變電站等干擾強(qiáng)烈的場(chǎng)合準(zhǔn)確測(cè)量,*《DLT962-2005高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀通用技術(shù)條件》的相關(guān)要求。本抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀廣泛適用于變壓器、互感器、高壓套管、電力電纜、電容器等電氣設(shè)備及絕緣材料的介質(zhì)損耗及電容量的測(cè)試,用以鑒別因污穢、破裂、穿孔、老化、受潮引起的絕緣缺陷。

產(chǎn)品特性

(1) 反干擾源:儀器先測(cè)量干擾電流的幅值和相位,然后在內(nèi)部產(chǎn)生一個(gè)幅值相等、相位相反的反干擾信號(hào)來抵消干擾電流,從而有效消除現(xiàn)場(chǎng)干擾對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)的影響。實(shí)踐使用證明,該方法抗干擾效果優(yōu)于“倒相法”、“移相法”和“變頻法”。

(2) 整體屏蔽:采用雙層整體屏蔽機(jī)箱,能有效阻擋外界電磁干擾。采用高壓屏蔽軟電纜,可直接引至試品,測(cè)試安全方便,并有效消除了對(duì)地雜散電容的影響。

(3) 使用方便:可自由選擇輸出高壓,啟動(dòng)后全自動(dòng)升壓測(cè)試。采用中文菜單操作,測(cè)量電容值、介損值等顯示結(jié)果直觀。內(nèi)置的前換紙打印機(jī)能以中文模式打印記錄數(shù)據(jù),換紙更加方便。

(4) 技術(shù)*:全數(shù)字化,內(nèi)建精密數(shù)學(xué)模型。

(5) 精度高:具有較高的分辨率和精度,測(cè)試結(jié)果重復(fù)性好,配上標(biāo)準(zhǔn)油杯后,可測(cè)量絕緣油的介質(zhì)損耗因素。

(6) 通訊接口:留有“通訊接口”,其中包括RS232計(jì)算機(jī)接口方便地與筆記本電腦連接,進(jìn)行數(shù)據(jù)處理;和“JTAG在線編程接口”,可由筆記本電腦對(duì)儀器進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)在線編程,可對(duì)儀器不拆機(jī)進(jìn)行升級(jí)處理;使用時(shí),必須配用接線座和軟件,本儀器不提供此配件。

(7) 數(shù)據(jù)記錄:儀器能記錄100組測(cè)試數(shù)據(jù),以測(cè)試日期、時(shí)間的形式存儲(chǔ),日后可調(diào)用查看或打印,有利于歷史數(shù)據(jù)的縱向比較和歷史臺(tái)帳的建立。

(8) 攜帶方便:采用一體化結(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)合理,體積只有同類產(chǎn)品的1/2~2/3,攜帶十分方便。

技術(shù)參數(shù)

使用電源  本儀器使用220(1±10%)V,50(1±2%)Hz電源

使用環(huán)境  環(huán)境溫度:-10℃~40℃   相對(duì)濕度:≤80%

外形尺寸  長(zhǎng)400mm*寬330mm*高395mm

質(zhì)量  20Kg

測(cè)試工作方式  正接法  反接法  抗干擾正接法  抗干擾反接法

輸出功率  內(nèi)部高壓zui大容量:1.5KVA

 輸出zui大電流:150mA

安全性能  絕緣電阻:電源對(duì)地≥2MΩ,高壓輸出對(duì)地≥50MΩ

 交流耐壓:電源對(duì)地1500v耐壓1min,高壓輸出對(duì)地15KV耐壓1min,無飛弧和擊穿

抗干擾性能  | 干擾 /  | 試品 <2,磁場(chǎng)干擾<5高斯下滿足測(cè)試精度要求。

電容測(cè)量范圍  10KV: 0~40000pF    

 <5KV: 0~0.1μF

電容zui小分辨率  0.001pF

電容精度  正接 ±(2%讀數(shù)+2pF)

 反接 ±(2%讀數(shù)+10pF)

電壓輸出  范圍:1KV、1.5KV、2KV、2.5KV、3KV、5KV、7.5KV、10KV

 失真度:<2%THD(10KV下線性負(fù)載)

 精度:±(1%讀數(shù)+10V)

介損測(cè)量范圍  0~50%

介損測(cè)量精度

測(cè)試內(nèi)容 電容量范圍(Cx) 試品類型 基本誤差

介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ 200pF~40000pF 非接地 ±(2%讀數(shù)+0.0005)

接地 ±(2%讀數(shù)+0.0010)

10pF~200pF或40000pF以上 非接地 ±(2%讀數(shù)+0.0010)

接地 ±(2%讀數(shù)+0.0020)

3pF~10pF 非接地與接地 

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